美军标MIL-STD-810测试要求 MIL-STD-461检测机构
美军其实早在1962年12月就发布了MIL-STD-810《空间及陆用设备环境试验方法》，此标准后成为军事和工业部门环境试验方法的准则。MIL-STD-810发布后，美军对此标准进行了一系列的修订工作，1964年美军发布了修订的810A标准，1967年又修订出版810B标准，1975年则推出了8l0C标准，到了2008年最新的MIL-STD-810标准修订到了810G版本。目前MIL-STD-810标准事实上已被世界各国所认可，其不仅在军品，同时也在工业产品中被广泛所接受和采纳。我国可靠性上常使用的GJB150《军用设备环境试验方法》就是主要参考了MIL-STD-810D标准，而GJB150A和GJB4239-2001《装备环境工程通用要求》则主要是参考了MIL-STD-810F。MIL-STD-810根据不同版本其对应试验上则有所变化。其中MIL-STD-810G比之前版本新增加了：524冻结/融化、525时域波形复现、526铁路碰撞、527多振动台试验和528船载振动这5个试验项目。
我们最常见的MIL-STD-810G要求主要包括了：高海拔低压、高低温包括温度冲击（含存储状态及工作状态两方面测试）、雨淋（包括风吹测试和冻雨测试）、湿度、霉菌、盐雾腐蚀、沙尘、易爆气体、液体渗漏、加速度、冲击和运输冲击、射击振动和随机振动等内容，其的要求确实还是比较高的。其实除去MIL-STD-810G以外，美军标还有很多其它常见要求如MIL-STD-461D/E/F军用设备和分系统电磁兼容性(EMC)的基础性标准等。这里限于篇幅，天纵检测就不一一展开了，如需要其它标准信息可与我们再做联系。
| 序号 | 检测对象 | 项目/参数 | 检测标准（方法） | 说明 | |
| 序号 | 名称 | ||||
| （一）环境与可靠性试验 | |||||
| 2 | 装备 | 1 | 低温 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法502.6 | 只测: 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm，最低温度：-60℃；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm，最低温度：-65℃；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm，最低温度：-70℃。仅对特定客户的特定产品。 |
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法502.7 | 只测: 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm，最低温度：-60℃；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm，最低温度：-65℃；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm，最低温度：-70℃。 | ||||
| 2 | 高温 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法501.6 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm; 最高温度：+150℃。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 MIL-STD-202H:2015 方法108 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm; 最高温度：+150℃ | ||||
| 微电路试验方法 MIL-STD-883K w/CHANGE 3（2018） 方法1005,1006,1007 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm，温度范围：（-60～+150）℃，变温率： ≤5℃/min；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm，温度范围：（-65~+150）℃，变温率： ≤1℃/min；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm，温度范围：（-70~+150）℃，变温率： ≤10℃/min；≤2m³，箱内尺寸≤1300mm×1100mm×1500mm，温度范围：（-70~+150）℃，变温率： ≤15℃/min。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法501.7 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm，温度范围：（-60～+150）℃，变温率： ≤5℃/min；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm，温度范围：（-65~+150）℃，变温率： ≤1℃/min；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm，温度范围：（-70~+150）℃，变温率： ≤10℃/min；≤2m³，箱内尺寸≤1300mm×1100mm×1500mm，温度范围：（-70~+150）℃，变温率： ≤15℃/min。 | ||||
| 3 | 湿热 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法507.6 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm； 温度： （25~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(20～98）%RH；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH；仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 MIL-STD-202H:2015 方法103 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm； 温度： （25~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(20～98）%RH；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH； | ||||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 MIL-STD-202H:2015 方法106 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm； 温度： （25~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(20～98）%RH；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH； | ||||
| 微电路试验方法 MIL-STD-883K w/CHANGE 3（2018） 方法1004 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm； 温度： （25~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(20～98）%RH；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH； | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法507.6 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm； 温度： （25~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(20～98）%RH；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm； 温度： （20~85）℃；湿度范围：(15～98）%RH。 | ||||
| 4 | 冲击 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法516.7、519.7 | 只测： 半正弦波：≤25000m/s²； 梯形波：≤750m/s²； 后峰锯齿波：≤1100m/s²； 脉宽： ≤40ms。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 MIL-STD-202H:2015 方法213 | 只测： 半正弦波：≤25000m/s²； 梯形波：≤750m/s²； 后峰锯齿波：≤1100m/s²； 脉宽： ≤40ms | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法516.8程序I～程序VI | 只测： 半正弦波：≤25000m/s²； 梯形波：≤750m/s²； 后峰锯齿波：≤1100m/s²； 脉宽： ≤40ms | ||||
| 9 | 振动 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法514.7 | 只测： 台面尺寸≤1500mm×1500mm；推力：100kN； 频率： （2～3000）Hz； 最大加速度：980m/s²； 位移： 76mm（p-p）； 最大负载：800kg。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 MIL-STD-202H:2015 方法201,204,214 | 只测： 台面尺寸≤1500mm×1500mm；推力：100kN； 频率： （2～3000）Hz； 最大加速度：980m/s²； 位移： 76mm（p-p）； 最大负载：800kg | ||||
| 微电路试验方法 MIL-STD-883K w/CHANGE 3（2018） 方法2007 | 只测： 台面尺寸≤1500mm×1500mm；推力：100kN； 频率： （2～3000）Hz； 最大加速度：980m/s²； 位移： 76mm（p-p）； 最大负载：800kg | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法514.8, 方法519.8程序III | 只测： 台面尺寸≤1500mm×1500mm；推力：100kN； 频率： （2～3000）Hz； 最大加速度：980m/s²； 位移： 76mm（p-p）； 最大负载：800kg | ||||
| 10 | 跌落 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法516.8程序IV | 只测： 最大跌落高度：1500mm； 最大负载：100kg。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 11 | 霉菌试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法508.7 | 只测： 箱内尺寸2000mm×2500mm×2000mm；仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法508.8 | 只测： 箱内尺寸2000mm×2500mm×2000mm。 | ||||
| 12 | 温度变化 | 微电路试验方法 MIL-STD-883K w/CHANGE 3（2018） 方法1010 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm，温度范围：（-60～+150）℃，变温率： ≤5℃/min；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm，温度范围：（-65~+150）℃，变温率： ≤1℃/min；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm，温度范围：（-70~+150）℃，变温率： ≤10℃/min；箱内尺寸≤1300mm×1100mm×1500mm，温度范围：（-70~+150）℃，变温率： ≤15℃/min。 | ||
| 13 | 温度冲击 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法503.6 | 只测：两箱法，转换时间≤5min；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm，温度： （-65~+150）℃；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm，温度： （-70~+150）℃；一箱一室法，转换时间≤15s，箱内尺寸≤600mm×550mm×600mm，温度： （-55~+150）℃；仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009MIL-STD-202H:2015 方法107 | 只测：两箱法，转换时间≤5min；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm，温度： （-65~+150）℃；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm，温度： （-70~+150）℃；一箱一室法，转换时间≤15s，箱内尺寸≤600mm×550mm×600mm，温度： （-55~+150）℃； | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法503.7 | 只测：两箱法，转换时间≤5min；箱内尺寸≤2000mm×2000mm×2500mm，温度： （-65~+150）℃；箱内尺寸≤2200mm×2000mm×1500mm，温度： （-70~+150）℃；一箱一室法，转换时间≤15s，箱内尺寸≤600mm×550mm×600mm，温度： （-55~+150）℃； | ||||
| 15 | 太阳辐射 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法505.6 | 只测： 箱内尺寸：≤1100mm×950mm×1500mm 温度范围：无辐射：-40℃~120℃；有辐射：-20℃~100℃ 湿度范围20%RH~98%RH（20℃~85℃ 箱内尺寸：≤2000mm×2000mm×2500mm; 光线波长：全波段光谱，模拟太阳光（280nm~3000nm） 辐照强度：（0~1200）W/m² | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法505.7 | 只测： 箱内尺寸：≤1100mm×950mm×1500mm 温度范围：无辐射：-40℃~120℃；有辐射：-20℃~100℃ 湿度范围20%RH~98%RH（20℃~85℃ 箱内尺寸：≤2000mm×2000mm×2500mm; 光线波长：全波段光谱，模拟太阳光（280nm~3000nm） 辐照强度：（0~1200）W/m² | ||||
| 17 | 盐雾 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法509.6 | 只测： 箱内尺寸≤800mm×600mm×650mm；； 沉降量：（1～3）mL/(80cm²·h)；温度：35℃；仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 MIL-STD-202H:2015 方法101 | 只测： 箱内尺寸≤800mm×600mm×650mm； 沉降量：（1～2）mL/(80cm²·h)；温度：35℃ | ||||
| 微电路试验方法 MIL-STD-883K w/CHANGE 3（2018） Method 1009 | 只测： 箱内尺寸≤800mm×600mm×650mm； 沉降量：（1～3）mL/(80cm²·h)；温度：35℃ | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法509.8 | 只测： 箱内尺寸≤800mm×600mm×650mm； 沉降量：（1～3）mL/(80cm²·h)；温度：35℃ | ||||
| 19 | 砂尘试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法510.6 | 只测： 箱内尺寸≤1300mm×1300mm×1400mm； 温度：23℃~85℃；仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009MIL-STD-202H:2015 方法110 | 只测： 箱内尺寸≤1300mm×1300mm×1400mm； 温度：23℃~85℃； | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法510.7 | 只测： 箱内尺寸≤1300mm×1300mm×1400mm； 温度：23℃~85℃； | ||||
| 22 | 低气压 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法500.6 | 只测： 箱内尺寸≤1500mm×1100mm×1200mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+150℃; 最低气压：1kPa。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009MIL-STD-202H:2015 方法105 | 只测： 箱内尺寸≤1500mm×1100mm×1200mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+150℃; 最低气压：1kPa | ||||
| 微电路试验方法 MIL-STD-883K w/CHANGE 3（2018） 方法1001 | 只测： 箱内尺寸≤1500mm×1100mm×1200mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+150℃; 最低气压：1kPa | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法500.6 | 只测： 箱内尺寸≤1500mm×1100mm×1200mm; 最低温度：-70℃； 最高温度：+150℃； 最低气压：1kPa； | ||||
| 23 | 淋雨试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法506.6 | 只测： 箱内尺寸≤1500mm×1500mm；温度：10℃～55℃； 有风源淋雨试验 1) 水平风速：≤20m/s 2) 降雨强度：100mm～150mm/h 3) 吹雨量;速率1.7mm/min 滴雨试验 1) 滴水量：≥（280+300）l/m²·h 2) 滴水间距：20mm～25.4mm 3) 试验时间：≥15mm 4) 速率140L/m²/h或者r 280L/m²/h，雨滴速度：9m/s 强化防水性试验 喷淋压力：≥276kPa。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法506.6 | 只测： 箱内尺寸≤1500mm×1500mm；温度：10℃～55℃； 有风源淋雨试验 1) 水平风速：≤20m/s 2) 降雨强度：100mm～150mm/h 3) 吹雨量;速率1.7mm/min 滴雨试验 1) 滴水量：≥（280+300）l/m²·h 2) 滴水间距：20mm～25.4mm 3) 试验时间：≥15mm 4) 速率140L/m²/h或者r 280L/m²/h，雨滴速度：9m/s 强化防水性试验 喷淋压力：≥276kPa | ||||
| 24 | 浸渍 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法512 | 只测： 水深≤100m；仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法512.6 | 只测： 水深≤1200mm； | ||||
| 26 | 温度-湿度-高度 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法520 | 只测： 箱内尺寸≤1500mm×1100mm×1200mm;最低温度：-70℃; 最高温度：+150℃; 最低气压：1000Pa；仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法520.5 | 只测： 箱内尺寸≤1500mm×1100mm×1200mm;最低温度：-70℃; 最高温度：+150℃; 最低气压：1000Pa； | ||||
| 27 | 流体污染 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法504 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm; 最高温度：+150℃；仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法504.3 | 只测： 箱内尺寸≤3000mm×2500mm×2800mm; 最高温度：+150℃； | ||||
| （二）电磁兼容性试验 | |||||
| 1 | 设备和分系统 | 1 | 25Hz～10kHz电源线传导发射CE101 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.4 | 仅适用于特定用户特定产品 |
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.4 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.4 | |||||
| 2 | 10kHz～10MHz电源传导发射CE102 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.5 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.5 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.5 | |||||
| 3 | 10kHz～40GHz天线端子传导发射CE106 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.6 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.6 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.6 | |||||
| 5 | 25Hz～100kHz磁场辐射发射RE101 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.15 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.16 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.17 | |||||
| 6 | 10kHz～18GHz电场辐射发射RE102 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.16 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.17 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.18 | |||||
| 7 | 10kHz～40GHz天线谐波和乱真输出辐射发射RE103 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.17 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.18 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.19 | |||||
| 8 | 25Hz～150kHz电源线传导敏感度CS101 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.7 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.7 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.7 | |||||
| 9 | 15kHz～10GHz天线端口互调传导敏感度CS103 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.8 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.8 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.8 | |||||
| 10 | 25Hz～20GHz天线端子无用信号抑制传导敏感度CS104 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.9 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.9 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.9 | |||||
| 11 | 25Hz～20GHz天线端子交调传导敏感度CS105 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.10 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.10 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.10 | |||||
| 12 | 电源线尖峰信号传导敏感度CS106 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.11 | |||
| 13 | 50Hz～100kHz 壳体电流传导敏感度CS109 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.11 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.12 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.11 | |||||
| 14 | 4kHz～400MHz电缆束注入传导敏感度CS114 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.12 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.13 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.12 | |||||
| 15 | 电缆束注入脉冲激励传导敏感度CS115 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.13 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.14 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.13 | |||||
| 16 | 10kHz～100MHz电缆和电源线阻尼正弦瞬态传导敏感度CS116 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.14 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.15 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.14 | |||||
| 17 | 25Hz～100kHz磁场辐射敏感度RS101 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.18 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.19 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.20 | |||||
| 18 | 10kHz～40GHz电场辐射敏感度RS103 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.19 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.20 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.21 | |||||
| 21 | 人体静电放电CS118 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.16 | |||
| 22 | 对地电容 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 4.2.2 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 4.2.2 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||||
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 4.2.2 | |||||
| 23 | 瞬态电磁场辐射敏感度RS105 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 5.20 | 仅适用于特定用户特定产品 | ||
| （二）电磁兼容性试验 | |||||
| 1 | 设备和分系统 | 23 | 瞬态电磁场辐射敏感度RS105 | 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F 5.21 | 仅适用于特定用户特定产品 |
| 国防部接口标准对子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461G 5.22 | |||||
| 2 | 用电设备 | 1 | 转换工作 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.1 | |
| 2 | 直流正常工作 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.3 | |||
| 3 | 直流非正常工作 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.3 | |||
| 4 | 直流应急工作 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.3 | |||
| 5 | 电起动 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.3 | |||
| 6 | 交流正常工作 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.2 | |||
| 7 | 交流非正常工作 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.2 | |||
| 8 | 交流应急工作 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.2 | |||
| 9 | 负载特性 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 5.4 | |||
| 11 | 供电故障 | 国防部接口标准飞机供电特性 MIL-STD-704F 4.2.3 | |||
| 9 | 系统电磁环境 | 1 | 安全裕度 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D 5.1 | |
| 2 | 系统内电磁兼容性 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D 5.2 | 不测船壳引起的互调干扰试验， 不测二次电子倍增试验 | ||
| 3 | 外部射频电磁环境 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D 5.3 | 场强：≤200V/m | ||
| 5 | 分系统和设备电磁干扰 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D | 5.7 | ||
| 6 | 静电电荷控制 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D 5.8 | |||
| 7 | 电磁辐射危害 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D 5.9 | 场强：≤200V/m | ||
| 8 | 电搭接与外部接地试验方法 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D 5.9 | |||
| 9 | 发射控制 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D 5.14 | |||
| 10 | 频谱兼容性管理 | 系统电磁环境效应的的要求 MIL-STD-464D 5.15 | |||
|
|
|||||
| 1 | 电子元器件 | 6 | 键合强度 | 微电路机械测试方法 第2部分：测试方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1-2022 方法 2011.10 | 只测：拉力0.049N～98N |
| 微电路机械测试方法 第2部分：测试方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1-2022 方法 2023.8 | 只测：拉力0.049N～98N | ||||
| 7 | 剪切强度 | 微电路机械测试方法 第2部分：测试方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1:2022 方法2019.11 | 只测：剪切力0.245N～980N | ||
| 11 | 机械冲击 | 微电子器件力学试验方法 第2部分：试验方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1-2022 2002.5 | 只测： 脉宽（0～30）ms； 半正弦波 （100～25000）m/s 2 | ||
| 14 | 振动疲劳 | 微电子器件机械试验方法 第2部分：试验方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1-2022 2005.2 | 只测：最大台面尺寸：500mm×500mm，推力：80kN； 频率：（1～2000）Hz； 最大加速度：1470m/s²； 位移：51mm（p-p） | ||
| 微电子器件力学试验方法 第2部分：试验方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1-2022 2007.3 | 只测：最大台面尺寸：500mm×500mm，推力：80kN； 频率：（1～2000）Hz； 最大加速度：1470m/s²； 位移：51mm（p-p） | ||||
| 微电子器件力学试验方法 第2部分：试验方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1-2022 2026 | 只测：最大台面尺寸：500mm×500mm，推力：80kN； 频率：（1～2000）Hz； 最大加速度：1470m/s²； 位移：51mm（p-p） | ||||
| 20 | X射线检查 | 微电子器件力学试验方法 第2部分：试验方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1：2022 方法2012.11 | |||
| 23 | 老炼（晶体管） | 半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至1999 MIL-STD-750-1B 15 August 2022 方法1039.4 | 只测：试验条件A | ||
| 25 | 老炼和寿命试验（功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管）（IGBT） | 半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至1999 MIL-STD-750-1B 15 August 2022 方法1042.4 | 只测：试验条件A | ||
| 28 | 密封 | 微电路环境测试方法 第1部分：测试方法 1000-1999 MIL-STD-883-1 w/CHANGE1-2021 方法1014.18（密封） | 只测：试验条件A1,C1 | ||
| 30 | 老炼（二极管、整流管、电压调整和电压基准管） | 半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至1999 MIL-STD-750-1B 15 August 2022 方法1038.5 | 只测：试验条件A；温度15℃～175℃ | ||
| 42 | 恒定加速度 | 微电路机械测试方法 第2部分：测试方法2000-2009 MIL-STD-883-2w/CHANGE1：2022 方法 2001.4 | 只做试验条件A、B、C、D、E | ||
| 43 | 耐溶剂性 | 微电子器件力学试验方法 第2部分：试验方法2000-2999 MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1：2022 方法2015.14 | |||
| （一）环境与可靠性试验 | |||||
| 2 | 装备 | 1 | 低温试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法502.6 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm， 最低温度：-60℃；箱内尺寸≤1500mm*1200mm*1500mm， 最低温度：-70℃。仅对特定客户的特定产品。 |
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法502.7 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm， 最低温度：-60℃；箱内尺寸≤1500mm*1200mm*1500mm， 最低温度：-70℃。 | ||||
| 2 | 高温试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法501.6 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm， 最高温度：+90℃；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm， 最高温度：+120℃；箱内尺寸≤1500mm*1200mm*1500mm， 最高温度：+150℃；箱内尺寸≤1000mm*1000mm*1000mm， 最高温度：+350℃。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法108 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm， 最高温度：+90℃；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm， 最高温度：+120℃；箱内尺寸≤1500mm*1200mm*1500mm， 最高温度：+150℃；箱内尺寸≤1000mm*1000mm*1000mm， 最高温度：+350℃。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法501.7 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm， 最高温度：+90℃；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm， 最高温度：+120℃；箱内尺寸≤1500mm*1200mm*1500mm， 最高温度：+150℃；箱内尺寸≤1000mm*1000mm*1000mm， 最高温度：+350℃。 | ||||
| 4 | 恒定湿热试验 | 电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法103 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm，温度： （20~85）℃，湿度范围：(20~98）%RH；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm，温度： （20~85）℃，湿度范围：(15~98）%RH。 | ||
| 5 | 交变湿热试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法507.6 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm，温度： （20~85）℃，湿度范围：(20~98）%RH；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm，温度： （20~85）℃，湿度范围：(15~98）%RH。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法106 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm，温度： （20~85）℃，湿度范围：(20~98）%RH；，箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm，温度： （20~85）℃，湿度范围：(15~98）%RH。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法507.6 | 只测: 箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm，温度： （20~85）℃，湿度范围：(20~98）%RH；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm，温度： （20~85）℃，湿度范围：(15~98）%RH。 | ||||
| 6 | 霉菌试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法508.7 | 只测： 箱内尺寸≤1600mm* 1100mm* 1300mm；温度范围（25~30)℃，湿度范围：（90~100）%。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法508.8 | 只测： 箱内尺寸≤1600mm* 1100mm* 1300mm；温度范围（25~30)℃，湿度范围：（90~100）%。 | ||||
| 7 | 太阳辐射 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法505.6 | 只测: 红外光谱下，箱内尺寸≤10000mm×7000mm；温度：-60℃~120℃；湿度范围：(20~98）%RH；辐照强度：≤1200W/m²。全波段光谱下，箱内尺寸：≤2000mm×2000mm×2500mm；（280nm~3000nm）辐照强度：（0~1200）W/m²。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法505.7 | 只测: 红外光谱下，箱内尺寸≤10000mm×7000mm；温度：-60℃~120℃；湿度范围：(20~98）%RH；辐照强度：≤1200W/m²。全波段光谱下，箱内尺寸：≤2000mm×2000mm×2500mm；（280nm~3000nm）辐照强度：（0~1200）W/m²。 | ||||
| 8 | 温度冲击试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法503.6 | 只测：两箱法，转换时间≤5min；箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm，温度： （-60~+90）℃；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm，温度： （-60~+120）℃；箱内尺寸≤1500mm*1200mm*1500mm，温度： （-70~+150）℃； 箱内尺寸≤1000mm*1000mm*1000mm，温度： （-70~+350）℃；一箱一室法，转换时间≤15s，箱内尺寸≤700mm*800mm*1000mm，温度： （-60~+160）℃。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法107 | 只测：两箱法，转换时间≤5min；箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm，温度： （-60~+90）℃；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm，温度： （-60~+120）℃；箱内尺寸≤1500mm*1200mm*1500mm，温度： （-70~+150）℃； 箱内尺寸≤1000mm*1000mm*1000mm，温度： （-70~+350）℃；一箱一室法，转换时间≤15s，箱内尺寸≤700mm*800mm*1000mm，温度： （-60~+160）℃。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法503.7 | 只测：两箱法，转换时间≤5min；箱内尺寸≤14000mm*7000mm*8000mm，温度： （-60~+90）℃；箱内尺寸≤5000mm*3000mm*3000mm，温度： （-60~+120）℃；箱内尺寸≤1500mm*1200mm*1500mm，温度： （-70~+150）℃； 箱内尺寸≤1000mm*1000mm*1000mm，温度： （-70~+350）℃；一箱一室法，转换时间≤15s，箱内尺寸≤700mm*800mm*1000mm，温度： （-60~+160）℃。 | ||||
| 9 | 淋雨试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法506.6 | 只测： 尺寸≤10000mm×3800mm×6000mm； 降雨强度：≤10mm/min； 喷射压力：≤300kPa。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法506程序III | 只测： 尺寸≤10000mm×3800mm×6000mm； 降雨强度：≤10mm/min； 喷射压力：≤300kPa。仅对特定客户的特定产品。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法506.6 程序III | 只测： 尺寸≤10000mm×3800mm×6000mm； 降雨强度：≤10mm/min； 喷射压力：≤300kPa。 | ||||
| 11 | 振动 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法514.7 | 只测： 台面尺寸：≤900mm×900mm，最大推力：80kN； 频率： （1～2700）Hz； 最大加速度：980m/s²； 最大位移： 76mm（p-p）。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法201, 204, 214 | 只测： 台面尺寸：≤900mm×900mm，最大推力：80kN； 频率： （1～2700）Hz； 最大加速度：980m/s²； 最大位移： 76mm（p-p）。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法514.8 方法519.8程序III | 只测： 台面尺寸：≤900mm×900mm，最大推力：80kN； 频率： （1～2700）Hz； 最大加速度：980m/s²； 最大位移： 76mm（p-p）。 | ||||
| 12 | 盐雾试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法509.6 | 只测： 箱内尺寸≤2000mm*800mm*1250mm；沉降量：（1～3）mL/(80cm²·h)；温度：35℃。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法101 | 只测： 箱内尺寸≤2000mm*800mm*1250mm；沉降量：（1～2）mL/(80cm²·h)；温度：35℃。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法509.8 | 只测：箱内尺寸≤2000mm*800mm*1250mm； 沉降量：（1～3）mL/(80cm²·h)；温度：35℃。 | ||||
| 13 | 冲击 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法516.7、519.7 | 只测： 半正弦波：≤980m/s²； 梯形波：≤150m/s²； 后峰锯齿波：≤980m/s²； 脉宽： ≤40ms。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法213 | 只测： 半正弦波：≤980m/s²； 梯形波：≤150m/s²； 后峰锯齿波：≤980m/s²； 脉宽： ≤40ms。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法516.8 4.6.2 4.6.3 | 只测： 半正弦波：≤980m/s²； 梯形波：≤150m/s²； 后峰锯齿波：≤980m/s²； 脉宽： ≤40ms。 | ||||
| 16 | 酸性大气试验 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法 518.2 | 只测： 箱内尺寸≤2000mm*800mm*1250mm； 沉降量：（1～3）mL/(80cm²·h)；温度：35℃。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法518.2 | 只测： 箱内尺寸≤2000mm*800mm*1250mm； 沉降量：（1～3）mL/(80cm²·h)；温度：35℃。 | ||||
| 21 | 流体污染 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法504.2 | 只测: 箱内尺寸≤7000mm×5000mm×4000mm，最高温度：+90℃； 箱内尺寸≤5000mm×3000mm×3000mm，最高温度：+120℃； 箱内尺寸≤1500mm×1200mm×1500mm，最高温度：+150℃； 箱内尺寸≤1000mm×1000mm×1000mm，最高温度：+350℃。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法504.3 | 只测: 箱内尺寸≤7000mm×5000mm×4000mm，最高温度：+90℃； 箱内尺寸≤5000mm×3000mm×3000mm，最高温度：+120℃； 箱内尺寸≤1500mm×1200mm×1500mm，最高温度：+150℃； 箱内尺寸≤1000mm×1000mm×1000mm，最高温度：+350℃。 | ||||
| 26 | 低气压 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法500.6 4.5.2 4.5.3 | 只测： 箱内尺寸≤2500mm×2000mm×2000mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+200℃; 最低气压：1kPa。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202H:2015 方法105 | 只测： 箱内尺寸≤2500mm×2000mm×2000mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+200℃; 最低气压：1kPa。 | ||||
| 微电路试验方法 MIL-STD-883K w/CHANGE 3（2018） 方法1001 | 只测： 箱内尺寸≤2500mm×2000mm×2000mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+200℃; 最低气压：1kPa。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法500.6 4.5.2 4.5.3 | 只测： 箱内尺寸≤2500mm×2000mm×2000mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+200℃; 最低气压：1kPa。 | ||||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法500.6 4.5.2 4.5.3 | 只测： 箱内尺寸≤2500mm×2000mm×2000mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+200℃; 最低气压：1kPa。 | ||||
| 27 | 温度-湿度-高度 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法520.4 | 只测： 箱内尺寸≤2500mm×2000mm×2000mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+200℃; 最低气压：1kPa。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法520.5 | 只测： 箱内尺寸≤2500mm×2000mm×2000mm; 最低温度：-70℃; 最高温度：+200℃; 最低气压：1kPa。 | ||||
| 29 | 防水 | 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810G:2014 方法512.6 | 只测：深度≤1.5m。仅对特定客户的特定产品。 | ||
| 环境工程考虑和实验室试验 MIL-STD-810H w/Change 1-2022 方法512.6 | 只测：深度≤1.5m。仅对特定客户的特定产品。 | ||||